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PCVD工藝：
一根潔凈的石英管作為PCVD沉積的襯管，被固定在真空泵與氣流控制器（MFC）之間。該裝置可以控制四氯化硅（SiCl4）、四氯化鍺（GeCl4）氟里昂（C2F6）氣體與氧氣（O2）充分精確的按照預先設(shè)定的比例混合，并在特定的低壓下注入襯管內(nèi)。
往返移動的諧振腔包圍著部分襯管，通過波導將數(shù)千瓦的微波能量耦合至氣體混合物。微波能在石英管內(nèi)產(chǎn)生出一個局部非等溫、低壓的等離子體。等離子體內(nèi)的氣體互相作用，發(fā)生反應(yīng)。此時的等離子體電子運動產(chǎn)生等量于6000攝氏度的高溫，遠遠高于周圍保溫爐的溫度。
四氯化硅（SiCl4）與氧氣（O2）發(fā)生反應(yīng)后生成的純二氧化硅（SiO2），四氯化鍺（GeCl4）與氧氣（O2）發(fā)生類似反應(yīng)后，產(chǎn)生可以提高折射率的摻雜物：二氧化鍺（GeO2）。同時，氟里昂（C2F6）氣體中的主要成分：氟反應(yīng)生成物降低了折射率。通過這種方法可以令華的改變光纖的折射率，且沉積直接在透明的管壁上進行，無任何粉塵產(chǎn)生。
諧振腔的每次往返，氣體的混合比例都可以改變知道多達數(shù)千層的沉積層，這樣可以得到極其精確的預制棒芯層以及光纖的折射率剖面曲線。由于所涉及的任何折射率的剖面均可在PCVD沉積車床上制成，因此一臺PCVD沉積車床可以通用，適合生產(chǎn)任何型號的預制棒，不論多�；騿文！� PCVD工藝的沉積效率極高，氟與二氧化硅的沉積率幾乎可以達到100%。因此，原材料可以得到高效的利用。 | 
